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商品詳細信息：
類別 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 制造商 Vishay Siliconix FET 類型 N 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 1000 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 6.1A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 2 歐姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 190 nC @ 10 V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 2800 pF @ 25 V 功率耗散（最大值） 190W（Tc） 工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型 通孔 供應商器件封裝 TO-247AC 封裝/外殼 TO-247-3
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